Загрузить спецификацию
Корзина ( 
MC33172DR2G технический паспорт и цена | pdf
Find the comprehensive MC33172DR2G Reference manual in pdf format, detailing specifications and technical data. Get insights on its features, applications, and competitive price for your projects.
- Тип усилителя: Общего назначения
- Количество цепей: 2
- Тип вывода: -
- Упаковка: 8-SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)
БЕСПЛАТНАЯ доставка для заказов свыше HK$250.00
Быстрый ответ, быстрая расценка
Быстрая отправка, никаких проблем после продажи
Оригинальный канал, гарантия подлинности продукции
Больше похожего
K4A4G165WF-BCWE
Samsung
K4E8E324EB-EGCF
Samsung
NT5CC256M16DP-DI
Nanya Tech
NT5CB128M16FP-DI
Nanya Tech
RS2G32LV4D4BDT-53BT
Rayson
H5TC4G63EFR-RDA
SK HYNIX
H5TQ4G83EFR-RDC
SK HYNIX
RS256M16V0DB-107AT
Rayson
K4E6E304ED-EGCG
Samsung
GDQ2BFAA-CQ
GigaDevice Semicon Пекин
K4ABG165WA-MCWE
Samsung
H5TQ4G63EFR-TEC
SK HYNIX
Также добавить в корзину
DS90UB953TRHBTQ1
Техасские инструменты
SIP32102DB-T1-GE1
Vishay Siliconix
HI-8596PCIF
Интегральные схемы Холта
LM2904MX
Национальный полупроводник
FPF1320UCX
онсеми
ADS8320E/2K5
Техасские инструменты
ATMEGA1280V-8AU
Технология микрочипов
MX25R3235FM2IL0
Макроникс
LCMXO2-4000HC-4BG332C
Корпорация Lattice Semiconductor
АДА4807-2АРМЗ
Аналоговые Устройства Inc.
SN74AUP2G17DCKR
Техасские инструменты
BQ25798RQMR
Техасские инструменты
Сопутствующие товары
K4A4G165WF-BCWE
Samsung
K4E8E324EB-EGCF
Samsung
NT5CC256M16DP-DI
Nanya Tech
NT5CB128M16FP-DI
Nanya Tech
RS2G32LV4D4BDT-53BT
Rayson
H5TC4G63EFR-RDA
SK HYNIX
H5TQ4G83EFR-RDC
SK HYNIX
RS256M16V0DB-107AT
Rayson
K4E6E304ED-EGCG
Samsung
GDQ2BFAA-CQ
GigaDevice Semicon Пекин
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Авторские права © 2024 Все права защищены
Russian 
English 
Spanish 
German 
Japanese