Загрузить спецификацию
Корзина ( 
MC1413BDR2G | Техническое описание | Цена | PDF onsemi
Get detailed technical insights with the Reference manual for the MC1413BDR2G, featuring important specifications and features. Access the PDF for an easy reference and explore pricing options to make informed decisions.
- Transistor Type: 7 NPN Darlington
- Токосъемник (Ic) (макс.): 500mA
- Напряжение коллектор-эмиттер пробой (макс.): 50V
- Упаковка: 16-SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)
БЕСПЛАТНАЯ доставка для заказов свыше HK$250.00
Быстрый ответ, быстрая расценка
Быстрая отправка, никаких проблем после продажи
Оригинальный канал, гарантия подлинности продукции
Больше похожего
STA471A
Санкен
BC847S
онсеми
MAT12AHZ
Аналоговые Устройства Inc.
ULN2803AN
Техасские инструменты
BC847BS
онсеми
BC817DPN
Nexperia USA Inc.
FFB2907A
Фэрчайлд Полупроводник
BC857BS
Янчжоу Янцзе Электронные Технологии Ко., Лтд.
ULN2804A
онсеми
BCM846SH6327
Технологии Инфинеон
ZXTC2062E6TA
Встроенные диоды
FFB2907A
онсеми
Также добавить в корзину
FFB2907A
онсеми
ULN2803A
STMicroelectronics
BC846S
Диотек Полупроводник
MBT3946DW1T1G
онсеми
BC856S
Диотек Полупроводник
BC847CDXV6T1G
онсеми
NST3904DXV6T1G
онсеми
BC856BDW1T1G
онсеми
2N2222A
Solid State Inc.
ULN2804A
STMicroelectronics
BC847BDW1T1G
онсеми
BC846BDW1T1G
онсеми
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Авторские права © 2024 Все права защищены
Russian 
English 
Spanish 
German 
Japanese