Загрузить спецификацию
Корзина ( 
GBU806 Diode | Bridge Rectifier | Circuit | HY Electronic
Discover the GBU806 bridge for efficient power conversion. Review the GBU806 circuit and diode functionality in detail through its Reference manual. Compare GBU808 vs GBU806 and explore the GBU806 LT for enhanced performance.
- Бренды: HY Electronic (Каймановы острова) Лимитед
- Скачать: GBU806 Datasheet PDF
- Цена: расследование
- В наличии: 5
- Напряжение-ПикОбратное(Макс.): 600 V
- Средний выпрямленный ток (Io): 8 A
- Напряжение-прямое(Vf)(макс)@Если: 1 V @ 4 A
- Упаковка: 4-SIP, GBU
Больше похожего
ZMM5V1
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
SI4948BEY
UMW
8205A
UMW
NXH400N100L4Q2F2SG
онсеми
SM4007PL
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
NRVTS8100MFST1G
онсеми
MC1413P
онсеми
BCX53-10
Диотек Полупроводник
NJVMJD253T4G
онсеми
BC850BW
Тайваньская полупроводниковая корпорация
T2G6003028-FL
Qorvo
DTC143ZE
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Также добавить в корзину
TIP32C
Корпорация Харрис
MMBT5401
Диотек Полупроводник
1SS355VMTE-17
Ром Полупроводник
SS26
МДД
TIP35C
онсеми
S1J
Диотек Полупроводник
1N4001
МДД
B130-13-F
Встроенные диоды
A2T07D160W04SR3
NXP USA Inc.
STPS40150CG-TR
STMicroelectronics
STTH3R02RL
STMicroelectronics
SGF23N60UFTU
Фэрчайлд Полупроводник
Сопутствующие товары
ZMM5V1
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
SI4948BEY
UMW
8205A
UMW
NXH400N100L4Q2F2SG
онсеми
SM4007PL
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
NRVTS8100MFST1G
онсеми
MC1413P
онсеми
BCX53-10
Диотек Полупроводник
NJVMJD253T4G
онсеми
BC850BW
Тайваньская полупроводниковая корпорация
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Авторские права © 2024 Все права защищены
Russian 
English 
Spanish 
German 
Japanese