Загрузить спецификацию
Корзина ( 
GBU806 Bridge | Circuit, Diode & LT Specifications
Discover the GBU806 bridge for efficient diode-based circuits. Get detailed insights into its circuit design, diode specifications, and LT performance. Compare GBU808 vs GBU806 and explore its Reference manual for full technical guidance.
- Бренды: Тайваньская полупроводниковая корпорация
- Скачать: GBU806 Datasheet PDF
- Цена: расследование
- В наличии: 254
- Напряжение-ПикОбратное(Макс.): 800 V
- Средний выпрямленный ток (Io): 8 A
- Напряжение-прямое(Vf)(макс)@Если: 1 V @ 2 A
- Упаковка: 4-SIP, GBU
Больше похожего
NVMJST1D6N04CTXG
онсеми
SI2323DS
UMW
NTMFS5C612NT1G
онсеми
SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
STL9P4LF6AG
STMicroelectronics
NTH4L030N120M3S
онсеми
NTMFS1D3N04XMT1G
онсеми
SCTWA70N120G2V-4
STMicroelectronics
SCT070H120G3AG
STMicroelectronics
SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
PH1214-110M
Технологические решения MACOM
ZMM5V1
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Также добавить в корзину
ECH8654-TL-H
онсеми
FFSH30120A
онсеми
VS-30BQ100-M3/9AT
Vishay General Semiconductor - Дивизион диодов
.jpg "BC817-16")
BC817-16
Встроенные диоды
BAT54
онсеми
ES1D-13-F
Встроенные диоды
IHW20N120R5
Технологии Инфинеон
SIA427ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
MMSD4148
онсеми
NVHL020N120SC1
онсеми
MMBT3906
NTE Electronics, Inc
FDFS2P106A
онсеми
Сопутствующие товары
NVMJST1D6N04CTXG
онсеми
SI2323DS
UMW
NTMFS5C612NT1G
онсеми
SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
STL9P4LF6AG
STMicroelectronics
NTH4L030N120M3S
онсеми
NTMFS1D3N04XMT1G
онсеми
SCTWA70N120G2V-4
STMicroelectronics
SCT070H120G3AG
STMicroelectronics
SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Авторские права © 2024 Все права защищены
Russian 
English 
Spanish 
German 
Japanese