Загрузить спецификацию
Корзина ( 
BAS21LT1G | datasheet | price | pdf onsemi
The BAS21LT1G diode from Onsemi is designed for high-speed switching applications. For detailed information on its specifications and features, refer to the Reference manual. This component is an ideal choice for various circuit designs, offering excellent performance and reliability.
- Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 250 V
- Средний выпрямленный ток (Io): 200mA (DC)
- Напряжение-прямое(Vf)(макс)@Если: 1.25 V @ 200 mA
- Упаковка: ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
БЕСПЛАТНАЯ доставка для заказов свыше HK$250.00
Быстрый ответ, быстрая расценка
Быстрая отправка, никаких проблем после продажи
Оригинальный канал, гарантия подлинности продукции
Больше похожего
D1040UK
TT Electronics / Semelab
LSC04065FW
Встроенные диоды
10MQ100NTRPBF
Вишай
AS1J
Встроенные диоды
MBQ60T65PESTH
MagnaChip Полупроводник
ММБТ5550LT1G
онсеми
FFPF15S60STU
онсеми
NVMJST1D6N04CTXG
онсеми
SI2323DS
УМВ
NTMFS5C612NT1G
онсеми
SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
STL9P4LF6AG
STMicroelectronics
Также добавить в корзину
MMPQ2222A
онсеми
AUIRLR3410TRL
Технологии Инфинеон
FQPF13N50C
онсеми
FJP13007H2TU
онсеми
FDN338P
Фэрчайлд Полупроводник
STL225N6F7AG
STMicroelectronics
2N7002K-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7450DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4483ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MJE13009
онсеми
.jpg "NSR20F40NXT5G")
NSR20F40NXT5G
онсеми
IRF3575DTRPBF
Технологии Инфинеон
Сопутствующие товары
D1040UK
TT Electronics / Semelab
LSC04065FW
Встроенные диоды
10MQ100NTRPBF
Вишай
AS1J
Встроенные диоды
MBQ60T65PESTH
MagnaChip Полупроводник
ММБТ5550LT1G
онсеми
FFPF15S60STU
онсеми
NVMJST1D6N04CTXG
онсеми
SI2323DS
УМВ
NTMFS5C612NT1G
онсеми
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Авторские права © 2024 Все права защищены
Russian 
English 
Spanish 
German 
Japanese