Загрузить спецификацию
Корзина ( 
BAS16215 | Diode Datasheet, Specifications, Price NXP Semiconductors
The BAS16215 is a high-performance component with detailed information available in its Reference manual. For accurate specifications, pricing, and PDF access, check the latest resources to ensure your design is well-supported.
- Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 100 V
- Средний выпрямленный ток (Io): 215mA (DC)
- Напряжение-прямое(Vf)(макс)@Если: 1.25 V @ 150 mA
- Упаковка: ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
БЕСПЛАТНАЯ доставка для заказов свыше HK$250.00
Быстрый ответ, быстрая расценка
Быстрая отправка, никаких проблем после продажи
Оригинальный канал, гарантия подлинности продукции
Больше похожего
D1040UK
TT Electronics / Semelab
LSC04065FW
Встроенные диоды
10MQ100NTRPBF
Вишай
AS1J
Встроенные диоды
MBQ60T65PESTH
MagnaChip Полупроводник
ММБТ5550LT1G
онсеми
FFPF15S60STU
онсеми
NVMJST1D6N04CTXG
онсеми
SI2323DS
УМВ
NTMFS5C612NT1G
онсеми
SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
STL9P4LF6AG
STMicroelectronics
Также добавить в корзину
S100
онсеми
2V7002KT1G
онсеми
1N4744A
EIC SEMICONDUCTOR INC.
TIP42C
NTE Electronics, Inc
STD120N4F6
STMicroelectronics
IPW60R120P7
Технологии Инфинеон
FDD9407L-F085
онсеми
KBPC5010
МДД
IRFR4620TRLPBF
Технологии Инфинеон
STB19NF20
STMicroelectronics
2N7002DW-7-F
Встроенные диоды
AFT05MS004NT1
NXP USA Inc.
Сопутствующие товары
D1040UK
TT Electronics / Semelab
LSC04065FW
Встроенные диоды
10MQ100NTRPBF
Вишай
AS1J
Встроенные диоды
MBQ60T65PESTH
MagnaChip Полупроводник
ММБТ5550LT1G
онсеми
FFPF15S60STU
онсеми
NVMJST1D6N04CTXG
онсеми
SI2323DS
УМВ
NTMFS5C612NT1G
онсеми
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Авторские права © 2024 Все права защищены
Russian 
English 
Spanish 
German 
Japanese