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IPB80N04S2-H4
IPB80N04S2-H4

IPB80N04S2-H4 | データシート | 価格 | PDF

IPB80N04S2-H4は高性能パワーMOSFETです。リファレンスマニュアルや技術情報を含む詳細な仕様については、PDFをご覧ください。デバイスの価格、機能、アプリケーションノートに関する有益な情報も掲載されており、設計と意思決定プロセスをサポートします。簡潔で分かりやすい形式で、包括的な詳細情報を入手できます。
ブランド: インフィニオンテクノロジーズ
ダウンロード： IPB80N04S2-H4 データシート PDF
価格： 問い合わせ
在庫あり： 4,748
FETタイプ: Nチャネル
ドレイン-ソース電圧(Vdss): 40V
連続ドレイン電流(Id)@25°C: 80A（Tc）
パッケージ： PG-TO263-3-2
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