BS170 | Datasheet, Pinout, N-Channel MOSFET, Equivalent & Switch Circuit onsemi
- FET-Typ: N-Kanal
- Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
- Strom-Dauerentnahme (Id) bei 25 °C: 500 mA (Ta)
- Paket: TO-92-3

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